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Le memorie

Le RAM (Random Accesso Memory) costituiscono la forma meglio conosciuta di memorie per computer. La Ram è considerata ad accesso casuale poiché si può accedere ad ogni cella di memoria direttamente. L’opposto delle Ram sono le SAM (Serial Access Memory). Le SAM immagazzinano i dati in una serie di celle di memoria cui si può accedere solo in sequenza come in un nastro di audiocassetta in cui si può accedere ad una canzone del nastro solo dopo aver fatto scorrere tutta la porzione precedente del nastro. Se il dato richiesto non è nella locazione corrente , viene controllata ogni cella di memoria seguente finche non viene trovato il dato richiesto. Le memorie SAM funzionano molto bene per i buffer di memoria, in cui i dati vengono immagazzinanti normalmente nell’ordine in cui dovranno essere utilizzati ( un buon esempio è il buffer di memoria di una scheda video). Dall’altro lato ai dati della RAM si può accedere in qualsiasi ordine.  

Un chip di memoria è un circuito integrato fatto di milioni di transistor e condensatori . Nella forma più comune di memorie per computer , le memorie rAm dinamiche (DRAM Dynamic Random Access Memory) sono accoppiati un transistor e un condensatore per creare una cella di memoria, che rappresenta un singolo bit. Il transistor agisce come un interruttore che permette alla cir5cuiteria di controllo esterna di leggere lo stato di tensione del condensatore  cambiare il suo stato.

Un condensatore può essere visto come un piccolissimo secchio capace di immagazzinare elettroni. Pe immagazzinare il bit 0, il secchio va svuotato. Il problema con questo tipo di memorie è che il “secchio perde”. In pochi millisecondi la cella di memoria si scaricherebbe . perciò per poter lavorare con memorie dinamiche , la CPU o il controller di memoria deve ricaricare tutti i condensatori che immagazzinano un 1 prima che essi si scarichino. Per fare questo il controller di memoria legge la memoria e la riscrive . questa operazione di refresh avviene migliaia di volte al secondo.

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IL nome di memorie dinamiche deriva da questa operazione. Le RAM dinamiche devono essere rinfrescate continuamente o perdono il loro contenuto. Il lato negativo sta nella lentezza che si introduce in queste memorie.

Le celle di memoria sono ricavate in un wafer di silicio in un array di colonne (linee dei bit) e righe (linee delle parole). L’intersezione di una colonna e di una riga costituisce l’indirizzo della singola cella di memoria

Le RAM dinamiche lavorano inviando una carica attraverso la colonna appropriata per attivare il transistor di ogni bit della colonna. In scrittura le linee di riga contengono lo stato che dovrà possedere ogni bit . in lettura un rilevatore determina il livello di carica della cella.  Se esso è più del 50% del valore massimo possibile, si ha la lettura di un 1, altrimenti si ha la lettura di uno 0. Il tempo necessario per effettuare queste operazioni è dell’ordine dei nanosecondi.

Le celle di memoria da sole sarebbero inutili senza qualche mezzo per ottenere informazioni o immagazzinare informazioni. Così le celle hanno un’intera struttura di supporto di altri circuiti specializzati. Questi circuiti effettuano operazioni come

*   identificazione di ogni riga e colonna ( row address select e column address select).

*   Tenere traccia della sequenza di rinfresco ( contatore)

*   Lettura e ripristino del segnale in ogni singola cella  (sense amplifier)

*   Ordine ad una cella di immagazzinare una carica o meno (write enable)

Altre funzioni del controller di memoria includono una serie di compiti che includono l’identificazione del tipo, velocità ed ammontare di memoria e controllo degli errori.

Le RAM statiche utilizzano una tecnologia completamente differente. In esse un flip flop contiene ogni bit di memoria. Un flip flop per ogni cella necessita di 5-6 transistor e qualche filo ma non ha bisogno dell’operazione di rinfresco. Questo rende4 le Ram statiche significativamente più veloci delle RAM dinamiche. Dall’altro lato esso occupa più spazio a causa della circuiteria più complessa. In sostanza abbiamo meno memoria per chip e molto più costosa. Per tale motivo le memorie statiche sono riservate alla realizzazione delle memorie cache e le RAM dinamiche per la realizzazione dei banchi di memoria RAM del computer.

I chip di memoria originariamente utilizzati in un desktop computer utilizzavano una configurazione dei pin detta dual in-line package (DIP). Questa configurazione consentiva la saldatura dei pin in fori nella motherboard o l’incastro in un socket saldato sulla scheda. Questo metodo lavorava bene quando i computer avevano tipicamente una coppia di megabyte di RAM, ma con la crescita della memoria il numero di chip da collocare sulla motherboard crebbe enormemente. 

La soluzione fu quella di piazzare i chip di memoria insieme a tutti i componenti di supporto us un circuito stampato separato (printed circuit board PCB) che poteva essere serrato in un connettore speciale (banco di memoria) sulla scheda madre. La maggior parte di questi chip usa una configurazione detta small outline J-lead (SOJ), ma pochi produttori utilizzano anche la configurazione del tipo thin small outline package (TSOP). La differenza chiave fra questi nuovi tipi di pin e il DIP è che SOJ e TSOP sono a montaggio superficiale. In altre parole i pin sono saldati direttamente sulla superficie della scheda e non inseriti in fori o socket.

I chip di memoria sono ora normalmente disponibili soltanto montati come parte di una card detta modulo. Avrete probabilmente sentito parlare di chip 8 X 32 o 4 X 16 . Questi numeri rappresentano il numero di chip moltiplicato la capacità di ogni singolo bit , misurata in megabit. Per esempio 4 X 32 significa che abbiamo 4 chip da 32 megabit che fa un numero totale di 128 megabit. Dividendo per otto abbiamo che si tratta di un chip da 16 megabyte.

Il tipo di schede e connettori per desktop computer si è evoluto negli ultimi anni. I primi tipi erano  proprietari il che significa che ogni produttore di computer realizzava chip di memoria utilizzabili soltanto sui loro specifici sistemi. Poi vennero le SIMM (somale in.line memory module). Questa scheda di memoria usava un connettore a 30 pin. Nella maggior parte dei computer si dovevano installare questi moduli a coppie di uguale capacità e velocità . questo perché l’ampiezza del bus è più grande di quella di una singola SIMM.

 

Tabella 1 dall'alto in basso: SIMM; DIMM e SODIMM

Cona la crescita di velocità e ampiezza di banda dei processori , l’industria adottò il nuovo standard dual in-line  memory module (DIMM) con un connettore di 168 o 184 pin le DIMM possono giungere alla capacità di 1 Gigabyte per modulo. Un altro standard Rambus inline module (RIMM) è comparabile in ampiezza e configurazione dei pin alle DIMM ma usa uno speciale bus di memoria per incrementare la velocità.

Molte marche di notebook usano moduli di memoria proprietari , ma diversi produttori usano Ram basate sulla configurazione  small outline dual in-line memory module (SODIMM).

La maggior parte delle memorie attuali sono molto affidabili. La maggior parte dei sistemi hanno semplicemente un controllo sulla presenza di errori alla partenza e fanno completo affidamento su di esso. I chip di memoria con controllo di errore integrato utilizzano tipicamente il control di parità. Il problema con il controllo di parità è che esso rileva gli errori ma non fa nulla per correggerli. Computer in ruoli critici abbisognano di livelli di sicurezza superiore per cui si utilizzano sistemi di correzione dell’errore (ECC Error Correction Code)